Transistors bipolars MMBT3904TT1G - BJT 200mA 40V NPN
♠ Descripció del producte
Atribut del producte | Valor de l'atribut |
Fabricant: | onsemi |
Categoria del Producte: | Transistors bipolars - BJT |
RoHS: | Detalls |
Estil de muntatge: | SMD/SMT |
Paquet / caixa: | SC-75-3 |
Polaritat del transistor: | NPN |
Configuració: | Solter |
Voltatge col·lector-emissor VCEO màxim: | 40 V |
Tensió base del col·lector VCBO: | 60 V |
Tensió base emissor VEBO: | 6 V |
Tensió de saturació col·lector-emissor: | 300 mV |
Corrent màxima del col·lector DC: | 200 mA |
Pd - Dissipació de potència: | 225 mW |
Producte de guany d'amplada de banda fT: | 300 MHz |
Temperatura mínima de funcionament: | - 55 C |
Temperatura màxima de funcionament: | + 150 C |
Sèrie: | MMBT3904T |
Embalatge: | Bobina |
Embalatge: | Cinta tallada |
Embalatge: | MouseReel |
Marca: | onsemi |
Corrent de col·lector continu: | 0,2 A |
Col·lector DC/Guany base hfe Min: | 40 |
Alçada: | 0,75 mm |
Llargada: | 1,6 mm |
Tipus de Producte: | BJTs - Transistors bipolars |
Quantitat de paquet de fàbrica: | 3000 |
Subcategoria: | Transistors |
Tecnologia: | Si |
Amplada: | 0,8 mm |
Unitat de pes: | 0,000089 oz |
• Prefix S per a aplicacions d'automoció i altres que requereixen un lloc únic i requisits de canvi de control;Qualificat AEC−Q101 i capaç de PPAP
• Aquests dispositius són lliures de Pb, lliures d'halògens/BFR i compleixen RoHS*