MOSFET SUM55P06-19L-E3 60V 55A 125W
♠ Descripció del producte
Atribut del producte | Valor de l'atribut |
Fabricant: | Vishay |
Categoria de producte: | MOSFET |
RoHS: | Detalls |
Tecnologia: | Si |
Estil de muntatge: | SMD/SMT |
Paquet / Caixa: | TO-263-3 |
Polaritat del transistor: | Canal P |
Nombre de canals: | 1 canal |
Vds - Tensió de ruptura dren-font: | 60 V |
Id - Corrent de drenatge continu: | 55 A |
Rds Activat - Resistència de la font-drenatge: | 19 mOhms |
Vgs - Voltatge de porta-font: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensió llindar de porta-font: | 1 V |
Qg - Càrrega de la porta: | 76 nC |
Temperatura mínima de funcionament: | - 55 °C |
Temperatura màxima de funcionament: | + 175 °C |
Pd - Dissipació de potència: | 125 W |
Mode de canal: | Millora |
Nom comercial: | TrenchFET |
Embalatge: | Carret |
Embalatge: | Tallar cinta |
Embalatge: | Carret de ratolí |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Configuració: | Solter/a |
Temps de tardor: | 230 ns |
Transconductància directa - Mín: | 20 S |
Alçada: | 4,83 mm |
Durada: | 10,67 mm |
Tipus de producte: | MOSFET |
Temps de pujada: | 15 ns |
Sèrie: | SUMA |
Quantitat del paquet de fàbrica: | 800 |
Subcategoria: | MOSFETs |
Tipus de transistor: | 1 canal P |
Temps de retard típic d'apagada: | 80 ns |
Temps de retard d'encesa típic: | 12 ns |
Amplada: | 9,65 mm |
Pes unitari: | 0,139332 unces |
• MOSFET de potència TrenchFET®