BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LÒGICA
♠ Descripció del producte
| Atribut del producte | Valor de l'atribut |
| Fabricant: | onsemi |
| Categoria del Producte: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Estil de muntatge: | SMD/SMT |
| Paquet / caixa: | SOT-23-3 |
| Polaritat del transistor: | Canal N |
| Nombre de canals: | 1 canal |
| Vds - Tensió de ruptura drenatge-font: | 100 V |
| Id - Corrent de drenatge continu: | 170 mA |
| Rds On - Resistència a la font de drenatge: | 6 ohms |
| Vgs - Tensió de la porta-font: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensió llindar de la font de la porta: | 800 mV |
| Qg - Càrrega de la porta: | 2,5 nC |
| Temperatura mínima de funcionament: | - 55 C |
| Temperatura màxima de funcionament: | + 150 C |
| Pd - Dissipació de potència: | 300 mW |
| Mode de canal: | Millora |
| Embalatge: | Bobina |
| Embalatge: | Cinta tallada |
| Embalatge: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuració: | Solter |
| Temps de tardor: | 9 ns |
| Transconductància directa - Min: | 0,8 S |
| Alçada: | 1,2 mm |
| Llargada: | 2,9 mm |
| Producte: | Senyal petit MOSFET |
| Tipus de Producte: | MOSFET |
| Temps de pujada: | 9 ns |
| Sèrie: | BSS123 |
| Quantitat de paquet de fàbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipus de transistor: | 1 canal N |
| Tipus: | FET |
| Temps de retard d'apagat típic: | 17 ns |
| Temps de retard a l'encesa típic: | 1,7 ns |
| Amplada: | 1,3 mm |
| Núm. de part Àlies: | BSS123_NL |
| Unitat de pes: | 0,000282 oz |
♠ Transistor d'efecte de camp del mode de millora del nivell lògic de canal N
Aquests transistors d'efecte de camp en mode de millora de canal N es produeixen utilitzant la tecnologia DMOS d'alta densitat cel·lular propietat d'onsemi.Aquests productes s'han dissenyat per minimitzar la resistència a l'estat mentre ofereixen un rendiment de commutació robust, fiable i ràpid.Aquests productes són especialment adequats per a aplicacions de baixa tensió i baixa intensitat, com ara control de servomotors petits, controladors de porta MOSFET de potència i altres aplicacions de commutació.
• 0,17 A, 100 V
♦ RDS(on) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(activat) = 10 @ VGS = 4,5 V
• Disseny de cèl·lules d'alta densitat per a un RDS extremadament baix (activat)
• Resistent i fiable
• Paquet de muntatge superficial SOT−23 estàndard de la indústria compacta
• Aquest dispositiu és lliure de Pb i halògens
