IKW50N65EH5XKSA1 Transistors IGBT INDÚSTRIA 14
♠ Descripció del producte
| Atribut del producte | Valor de l'atribut |
| Fabricant: | Infineon |
| Categoria del Producte: | Transistors IGBT |
| Tecnologia: | Si |
| Paquet / caixa: | TO-247-3 |
| Estil de muntatge: | A través del forat |
| Configuració: | Solter |
| Voltatge col·lector-emissor VCEO màxim: | 650 V |
| Tensió de saturació col·lector-emissor: | 1,65 V |
| Tensió màxima de l'emissor de la porta: | 20 V |
| Corrent continu del col·lector a 25 C: | 80 A |
| Pd - Dissipació de potència: | 275 W |
| Temperatura mínima de funcionament: | -40 C |
| Temperatura màxima de funcionament: | + 175 C |
| Sèrie: | Trenchstop IGBT5 |
| Embalatge: | Tub |
| Marca: | Tecnologies Infineon |
| Corrent de fuga de l'emissor de porta: | 100 nA |
| Alçada: | 20,7 mm |
| Llargada: | 15,87 mm |
| Tipus de Producte: | Transistors IGBT |
| Quantitat de paquet de fàbrica: | 240 |
| Subcategoria: | IGBT |
| Nom comercial: | TRENCHSTOP |
| Amplada: | 5,31 mm |
| Núm. de part Àlies: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Unitat de pes: | 0,213383 oz |
Oferta tecnològica H5 d'alta velocitat
•La millor eficiència de la seva classe en topologies de commutació i ressonància
•Substitució de plugandplay d'IGBT de generació anterior
•Tensió de ruptura de 650V
• LowgatechargeQG
• IGBT envasat amb un díode antiparal·lel RAPID1 amb puntuació total
•Temperatura màxima d'unió175°C
•Qualificat segons JEDECaplicacions objectiu
• Revestiment de plom lliure de Pb; compatible amb RoHS
•CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
•Fonts d'alimentació ininterrompuda
•Convertidors solars
•Convertidors de soldadura
•Convertidors de freqüència de commutació mitjana a alta
