Transistors bipolars MBT3904DW1T1G - BJT 200mA 60V Dual NPN
♠ Descripció del producte
| Atribut del producte | Valor de l'atribut |
| Fabricant: | onsemi |
| Categoria del Producte: | Transistors bipolars - BJT |
| RoHS: | Detalls |
| Estil de muntatge: | SMD/SMT |
| Paquet / caixa: | SC-70-6 |
| Polaritat del transistor: | NPN |
| Configuració: | Dual |
| Voltatge col·lector-emissor VCEO màxim: | 40 V |
| Tensió base del col·lector VCBO: | 60 V |
| Tensió base emissor VEBO: | 6 V |
| Tensió de saturació col·lector-emissor: | 300 mV |
| Corrent màxima del col·lector DC: | 200 mA |
| Pd - Dissipació de potència: | 150 mW |
| Producte de guany d'amplada de banda fT: | 300 MHz |
| Temperatura mínima de funcionament: | - 55 C |
| Temperatura màxima de funcionament: | + 150 C |
| Sèrie: | MBT3904DW1 |
| Embalatge: | Bobina |
| Embalatge: | Cinta tallada |
| Embalatge: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Corrent de col·lector continu: | - 2 A |
| Col·lector DC/Guany base hfe Min: | 40 |
| Alçada: | 0,9 mm |
| Llargada: | 2 mm |
| Tipus de Producte: | BJTs - Transistors bipolars |
| Quantitat de paquet de fàbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | Transistors |
| Tecnologia: | Si |
| Amplada: | 1,25 mm |
| Núm. de part Àlies: | MBT3904DW1T3G |
| Unitat de pes: | 0,000988 oz |
• hFE, 100−300 • VCE baix (sat), ≤ 0,4 V
• Simplifica el disseny de circuits
• Redueix l'espai de la junta
• Redueix el recompte de components
• Disponible en cinta i bobina de 8 mm, 7 polzades/3.000 unitats
• Prefix S i NSV per a aplicacions d'automoció i altres que requereixen requisits de canvi de lloc i control únics;Qualificat AEC−Q101 i capaç de PPAP
• Aquests dispositius són lliures de Pb, lliures d'halògens/BFR i compleixen RoHS
