NVTFS5116PLTWG MOSFET únic canal P 60V,14A,52mohm
♠ Descripció del producte
| Atribut del producte | Valor de l'atribut |
| Fabricant: | onsemi |
| Categoria del Producte: | MOSFET |
| Tecnologia: | Si |
| Estil de muntatge: | SMD/SMT |
| Paquet / caixa: | WDFN-8 |
| Polaritat del transistor: | Canal P |
| Nombre de canals: | 1 canal |
| Vds - Tensió de ruptura drenatge-font: | 60 V |
| Id - Corrent de drenatge continu: | 14 A |
| Rds On - Resistència a la font de drenatge: | 52 mOhms |
| Vgs - Tensió de la porta-font: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensió llindar de la font de la porta: | 3 V |
| Qg - Càrrega de la porta: | 25 nC |
| Temperatura mínima de funcionament: | - 55 C |
| Temperatura màxima de funcionament: | + 175 C |
| Pd - Dissipació de potència: | 21 W |
| Mode de canal: | Millora |
| Qualificació: | AEC-Q101 |
| Embalatge: | Bobina |
| Embalatge: | Cinta tallada |
| Embalatge: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Configuració: | Solter |
| Transconductància directa - Min: | 11 S |
| Tipus de Producte: | MOSFET |
| Sèrie: | NVTFS5116PL |
| Quantitat de paquet de fàbrica: | 5000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipus de transistor: | 1 canal P |
| Unitat de pes: | 0,001043 oz |
• Petita empremta (3,3 x 3,3 mm) per a un disseny compacte
• RDS baix (activat) per minimitzar les pèrdues de conducció
• Capacitat baixa per minimitzar les pèrdues del conductor
• NVTFS5116PLWF − Producte de flancs humectables
• Qualificat AEC−Q101 i apte per PPAP
• Aquests dispositius són lliures de Pb i compleixen RoHS
