SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Descripció del producte
| Atribut del producte | Valor de l'atribut |
| Fabricant: | Vishay |
| Categoria del Producte: | MOSFET |
| RoHS: | Detalls |
| Tecnologia: | Si |
| Estil de muntatge: | SMD/SMT |
| Paquet/Estoix: | PowerPAK-1212-8 |
| Polaritat del transistor: | Canal P |
| Nombre de canals: | 1 canal |
| Vds - Tensió de ruptura drenatge-font: | 200 V |
| Id - Corrent de drenatge continu: | 3,8 A |
| Rds On - Resistència a la font de drenatge: | 1,05 ohms |
| Vgs - Tensió de la porta-font: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensió llindar de la font de la porta: | 2 V |
| Qg - Càrrega de la porta: | 25 nC |
| Temperatura mínima de funcionament: | - 50 C |
| Temperatura màxima de funcionament: | + 150 C |
| Pd - Dissipació de potència: | 52 W |
| Mode de canal: | Millora |
| Nom comercial: | TrenchFET |
| Embalatge: | Bobina |
| Embalatge: | Cinta tallada |
| Embalatge: | MouseReel |
| Marca: | Vishay Semiconductors |
| Configuració: | Solter |
| Temps de tardor: | 12 ns |
| Transconductància directa - Min: | 4 S |
| Alçada: | 1,04 mm |
| Llargada: | 3,3 mm |
| Tipus de Producte: | MOSFET |
| Temps de pujada: | 11 ns |
| Sèrie: | SI7 |
| Quantitat de paquet de fàbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Tipus de transistor: | 1 canal P |
| Temps de retard d'apagat típic: | 27 ns |
| Temps de retard a l'encesa típic: | 9 ns |
| Amplada: | 3,3 mm |
| Núm. de part Àlies: | SI7119DN-GE3 |
| Unitat de pes: | 1 g |
• Sense halògens Segons IEC 61249-2-21 Disponible
• TrenchFET® Power MOSFET
• Paquet PowerPAK® de baixa resistència tèrmica amb mida petita i perfil baix d'1,07 mm
• 100 % provat per UIS i Rg
• Pinça activa en fonts d'alimentació DC/DC intermèdies
