IDW30G120C5BFKSA1 Rectificadors i díodes Schottky SIC CHIP/DISCRETE
♠ Descripció del producte
| Atribut del producte | Valor de l'atribut |
| Fabricant: | Infineon |
| Categoria del Producte: | Díodes i rectificadors Schottky |
| RoHS: | Detalls |
| Producte: | Díodes de carbur de silici Schottky |
| Estil de muntatge: | A través del forat |
| Paquet / caixa: | TO-247-3 |
| Configuració: | Càtode comú d'ànode dual |
| Tecnologia: | SiC |
| Si - Corrent directe: | 30 A |
| Vrrm - Tensió inversa repetitiva: | 1,2 kV |
| Vf - Tensió directa: | 1,4 V |
| Ifsm - Corrent de sobretensió directa: | 240 A |
| Ir - Corrent invers: | 17 uA |
| Temperatura mínima de funcionament: | - 55 C |
| Temperatura màxima de funcionament: | + 175 C |
| Sèrie: | IDW30G120C5 |
| Embalatge: | Tub |
| Marca: | Tecnologies Infineon |
| Pd - Dissipació de potència: | 332 W |
| Tipus de Producte: | Díodes i rectificadors Schottky |
| Quantitat de paquet de fàbrica: | 240 |
| Subcategoria: | Díodes i rectificadors |
| Nom comercial: | CoolSiC |
| Vr - Tensió inversa: | 1,2 kV |
| Núm. de part Àlies: | IDW30G120C5B SP001123716 |
| Unitat de pes: | 1,340411 oz |
·Material semiconductor revolucionari: carbur de silici
·Sense corrent de recuperació inversa / Sense recuperació directa
·Comportament de commutació independent de la temperatura
·Baixa tensió directa fins i tot a alta temperatura de funcionament
·Distribució estreta de tensió directa
·Excel·lent rendiment tèrmic
·Capacitat de corrent de sobretensió ampliada
·Resistent dv/dt especificada
·Qualificat segons JEDEC1) per a aplicacions objectiu
·Revestiment de plom sense Pb;Conforme a RoHS
·Inversors solars
·Fonts d'alimentació ininterrompuda
·Accionaments de motor
·Correcció del factor de potència
