SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
♠ Descripció del producte
| Atribut del producte | Valor de l'atribut |
| Fabricant: | Vishay |
| Categoria del Producte: | MOSFET |
| RoHS: | Detalls |
| Tecnologia: | Si |
| Estil de muntatge: | SMD/SMT |
| Paquet/Estoix: | SC-70-6 |
| Polaritat del transistor: | Canal P |
| Nombre de canals: | 1 canal |
| Vds - Tensió de ruptura drenatge-font: | 8 V |
| Id - Corrent de drenatge continu: | 12 A |
| Rds On - Resistència a la font de drenatge: | 95 mOhms |
| Vgs - Tensió de la porta-font: | - 5 V, + 5 V |
| Vgs th - Tensió llindar de la font de la porta: | 800 mV |
| Qg - Càrrega de la porta: | 50 nC |
| Temperatura mínima de funcionament: | - 55 C |
| Temperatura màxima de funcionament: | + 150 C |
| Pd - Dissipació de potència: | 19 W |
| Mode de canal: | Millora |
| Nom comercial: | TrenchFET |
| Embalatge: | Bobina |
| Embalatge: | Cinta tallada |
| Embalatge: | MouseReel |
| Marca: | Vishay Semiconductors |
| Configuració: | Solter |
| Tipus de Producte: | MOSFET |
| Sèrie: | SIA |
| Quantitat de paquet de fàbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET |
| Unitat de pes: | 82,330 mg |
• MOSFET de potència TrenchFET®
• Paquet PowerPAK® SC-70 millorat tèrmicament
– Zona d'empremta petita
- Baixa resistència a l'encès
• 100 % Rg provat
• Interruptor de càrrega, per a línia elèctrica de 1,2 V per a dispositius portàtils i de mà
